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IRLR3717TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:120A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N-型场效应管，采用Trench技术，可为不同领域的电子设备提供稳定可靠的功率控制和管理功能。TO252；N—Channel沟道,20V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLR3717TRPBF-VB
- 商品编号
- C5355690
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V；3.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
商品概述
MDT30N10采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 30 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 26 mΩ
- 高密度单元设计，降低导通电阻Rdson
- 具备全面表征的雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源