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2SK1483-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率和电流的应用场合，能够在一定程度上平衡功率和性能。其小型封装和低功耗特性使其适用于需要紧凑结构和高效能的电子设备和系统。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK1483-VB
- 商品编号
- C5355703
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,6.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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