MTD2N50E-VB
MTD2N50E-VB
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术,适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252;N—Channel沟道,650V;4.5A;RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2.5~5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MTD2N50E-VB商品编号
C5355721包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)
商品参数
参数完善中
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