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MTD2N50E-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MTD2N50E-VB
- 商品编号
- C5355721
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ESN6426 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ESN6426 为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS）= 10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 4.0mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 6.5mΩ（典型值）
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换