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IPD068P03L3G-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:58A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD068P03L3G-VB
- 商品编号
- C5355726
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门-服务器-直流/直流