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STP70N10F4-VB
STP70N10F4-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP70N10F4-VB
- 商品编号
- C5355749
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单