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SPB80P06PG-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:9.2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单PMOSFET器件，采用Trench技术，广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-80A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPB80P06PG-VB
- 商品编号
- C5355761
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 沟槽型功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET