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MTD2955ET4G-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MTD2955ET4G-VB商品编号
C5355771包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 61mΩ@10V,5A | |
| 功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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