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P06P03LVG-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

P06P03LVG-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-5.8A;RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.7~-2V;
商品型号
P06P03LVG-VB
商品编号
C5355699
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))56mΩ@4.5V,4.4A
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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