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P06P03LVG-VB

1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: P06P03LVG-VB
商品编号: C5355699
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.08克(g)

商品参数

商品概述

EPC2302是一款最大RDS(on)为1.8 mΩ、耐压100 V的增强型氮化镓（eGaN）功率晶体管，采用低电感3×5 mm QFN封装，顶部外露，散热性能出色。它专为40 V - 60 V的高频DC - DC应用以及48 V无刷直流（BLDC）电机驱动而设计。该器件到封装顶部的热阻约为0.2 °C/W，散热性能优异，易于散热。它采用了增强型PQFN “Thermal - Max” 封装。外露的顶部增强了顶部散热管理，可焊侧边确保回流焊过程中整个侧边焊盘表面都能被焊料浸润，保护铜层，并允许在此外侧区域进行焊接，便于光学检测。与硅MOSFET相比，其15 mm²的占位面积不到同类最佳硅MOSFET的一半，且具有相似的Rds(on)和耐压值，QG和QGD显著更小，QRR为0。这使得开关损耗和栅极驱动损耗更低。此外，EPC2302速度极快，死区时间可小于10 ns，从而提高效率，QRR = 0对可靠性和电磁干扰（EMI）控制非常有利。总之，由于效率提高、尺寸减小以及开关频率更高，可使用更小的电感和更少的电容，EPC2302能够实现最高的功率密度。 EPC2302使设计人员能够提高效率并节省空间。出色的散热性能使散热更容易且成本更低。增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的超低电容和零反向恢复特性使其能够在多种拓扑结构中高效运行。小尺寸、低电感的占位面积进一步提升了性能。

商品特性

符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
沟槽功率 MOSFET
符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

AC - DC充电器、开关电源（SMPS）、适配器、电源
输入高达80 V的高频DC - DC转换（降压、升压、升降压和LLC）
24 V - 60 V电机驱动
40 V - 60 V到5 V - 12 V的高功率密度DC - DC模块
同步整流
太阳能最大功率点跟踪（MPPT）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	5.8A
	导通电阻(RDS(on))	56mΩ@4.5V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	2.5W
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	16nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道