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EPC2036
增强型功率晶体管
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- 描述
- 氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终的结果是，该器件可以处理需要非常高的开关频率和短导通时间的任务，以及导通状态损耗占主导的任务。
- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC2036
- 商品编号
- C5355680
- 商品封装
- BGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ |