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MDT9N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- MDT9N20 是硅 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的 MOSFET 技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT9N20
- 商品编号
- C5355274
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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