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MDT18N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT18N20
- 商品编号
- C5355275
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNM6011是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6011符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 200 V,ID = 18 A,VGS = 10 V时RDS(ON) < 180 mΩ
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试,改善dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源
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