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BUK6Y33-60PX
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- P 沟道增强模式 MOSFET，采用 Trench MOSFET 技术，采用 LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反接电池保护。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6Y33-60PX
- 商品编号
- C5353589
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
-高散热功率能力-额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境-沟槽MOSFET技术-通过AEC-Q101认证
应用领域
-反接电池保护-电源管理-高端负载开关-电机驱动
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