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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTD5867NLT4G

耐压:60V 电流:20A

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描述
特性:VDS = 60V, ID = 20A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用:负载/电源开关。 接口开关
商品型号
NTD5867NLT4G
商品编号
C5350885
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)30nC@30V
输入电容(Ciss)1.9nF@30V
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 25A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 33 mΩ

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF