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TPNTD6416ANLT4G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPNTD6416ANLT4G

耐压:100V 电流:14.7A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:RDS(ON) ≤ 100mΩ @ VGS = 10V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流。应用:笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器
商品型号
TPNTD6416ANLT4G
商品编号
C5350894
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)14.7A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V,8A
耗散功率(Pd)22.2W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)882pF@15V
反向传输电容(Crss)44pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)57pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 25A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 33 mΩ

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF