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AGM6014A
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- AGM6014A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM6014A
- 商品编号
- C5349120
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 428pF |
商品概述
AO3480A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 5.7 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) < 26.5 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) < 50 mΩ（栅源电压VGS = 2.5 V）