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AGM306MNA
2个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- AGM306MNA 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻 (RDS(ON))。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM306MNA
- 商品编号
- C5349141
- 商品封装
- QFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
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