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AGM312ME
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5.5A 4.4A
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- 描述
- AGM312ME将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM312ME
- 商品编号
- C5349147
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A；4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V；1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V；4.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF；409pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF；42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54.5pF；55pF |
商品概述
AGM304D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
应用领域
-MB/VGA内核电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器