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2SK3018
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动(2.5V)，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用：接口、开关(30V, 100mA)
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- 2SK3018
- 商品编号
- C5334538
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@100mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 采用紧凑且散热增强型封装，具备领先的导通电阻（RDS(on)）
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 电池管理
- 负载开关