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RC1300
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性：20V，2A。 RDS(ON) = 50mΩ @VGS = 4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。应用：笔记本电脑。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC1300
- 商品编号
- C5334479
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 150A
- 导通电阻RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）@栅源电压（VGS） = 10V
- 导通电阻RDS(ON) = 4.4mΩ（典型值）@栅源电压（VGS） = 4.5V
- 先进沟槽技术
- 提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 电源管理