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RCQ5305
1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 特性：VDs (V) =-30V。 ID =-90A。 RDS(ON)(at VGS =-10V) < 6.5mΩ。 RDS(ON)(at VGS =-4.5V) < 8.0mΩ
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCQ5305
- 商品编号
- C5334469
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 412pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 782pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -90 A
- 导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压VGS = -10 V时） < 6.5 mΩ
- 导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压VGS = -4.5 V时） < 8.0 mΩ