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RC4407
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：VDS(V) = -30V。 Id = -12A (VGS = -20V)。 RDS(ON) < 13mΩ (VGS = -20V)。 RDS(ON) < 14mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 30mΩ (VGS = -5V)
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC4407
- 商品编号
- C5334471
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和大电流处理能力-标记:A2SHB
商品特性
- 漏源电压(VDS(V)) = -30V
- 漏极电流(ID) = -12A(栅源电压VGS = -20V)
- 导通电阻(RDS(ON)) < 13mΩ(栅源电压VGS = -20V)
- 导通电阻(RDS(ON)) < 14mΩ(栅源电压VGS = -10V)
- 导通电阻(RDS(ON)) < 30mΩ(栅源电压VGS = -5V)
应用领域
- PWM应用-负载开关