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MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
- 描述
- 特性：超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V；标称值1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V；标称值1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V；标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值1.10V
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
- 商品编号
- C5330478
- 商品封装
- TFBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 70mA | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 本数据手册规定了统一的LPDDR4和LPDDR4X产品的操作，并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的特定要求。当将该产品用作LPDDR4设备时，请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
- 超低电压核心和I/O电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值1.10 V
- VDDO = 0.57 - 0.65 V；标称值0.60 V，或VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值1.10 V
- 频率范围2133 - 10 MHz（每引脚数据速率范围：4266 - 20 Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道有8个内部存储体用于并发操作
- 单数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道的双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程且可动态调整的突发长度（BL = 16, 32）
- 针对并发存储体操作和易于命令调度的按存储体定向刷新
- 每个管芯x16通道最高可达8.5 GB/s
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程的VSS（ODT）终端
- 支持单端CK和DQS
- MT46H32M32LFB5-5 IT:B
- MT47H32M16NF-25E AAT:H
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- GD32403V-START-1
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