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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
LPDDR4X/LPDDR4 同步动态随机存取存储器
- 描述
- 特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。 频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
- 商品编号
- C5330502
- 商品封装
- TFBGA-200
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 40mA | |
| 刷新电流 | 3mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |