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MT53E512M32D2FW-046 WT:D
x16 / x32 汽车级 LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E512M32D2FW-046 WT:D
- 商品编号
- C5330486
- 商品封装
- TFBGA-200(14.5x10)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 570mV~650mV；1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心和输入/输出电源供应
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值1.10 V
- VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值1.10 V 或 LowVDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值0.60 V
- 频率范围：2133-10兆赫（数据速率范围：4266-20兆比特/秒/引脚）
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道配备双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持定向每存储体刷新，便于命令调度
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选的输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的环保封装
- 可编程的VSS端接
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- MT42L32M32D1HE-18 AAT:D
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- MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
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- MT29F8G01ADAFD12-AAT:F
- MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
- LY E67F-ABCA-35-3B5A-50-R18-Z
- GD32403V-START-1
- SBK396b
- BK3000A
- BK3000S
- 7649
- 7387
- 770
- 7452
- 420
- 242 250ml
- MS 939 white