MT47H32M16NF-25E AAT:H
512Mb:x8、x16汽车级DDR2 SDRAM
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- 描述
- 特性:VDD = 1.8V ± 0.1V,VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS与CK转换对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms,8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范。 AEC-Q100。 PPAP提交。 8D响应时间
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H32M16NF-25E AAT:H
- 商品编号
- C5330482
- 商品封装
- FBGA-84
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 400MHz | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
- MT40A1G16KD-062E IT:E
- MT53E256M32D2FW-046 IT:B
- MT53E256M16D1FW-046 AIT:B
- MT53E512M32D2FW-046 WT:D
- MT41K128M16JT-125 AUT:K
- MT42L32M32D1HE-18 AAT:D
- MT40A1G16RC-062E IT:B
- MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
- MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
- MT53E256M16D1FW-046 WT:B
- MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
- MT29F8G01ADAFD12-AAT:F
- MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
- LY E67F-ABCA-35-3B5A-50-R18-Z
- GD32403V-START-1
- SBK396b
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