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LTM4632IY#PBF

超薄、三路输出、降压uModule稳压器用于DDR-QDR4内存

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描述: 用于 DDR-QDR4 存储器的超薄、三路输出、降压型 μModule 稳压器
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTM4632IY#PBF
商品编号: C581134
商品封装: BGA-25
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.48克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源模块
	功能类型	降压型
	输出通道数	2
	工作电压(Vin)	3.6V~15V
	输出电压精度	±1.5%
	输出电压(Vout)	600mV~2.5V
	输出电流(最大值)	-3A；3A
	静态电流(Iq)	400uA

商品概述

LTM4632是一款超薄三输出降压μModule（电源模块）稳压器，可为DDR-QDR4 SRAM提供完整的电源解决方案。LTM4632的输入电压范围为3.6V至15V，支持两个±3A输出轨（VDDQ和VTT），具备灌电流和拉电流能力，此外还有一个10mA的低噪声参考电压VTTR输出。VTT和VTTR均跟踪并等于VDDQ/2。LTM4632采用6.25mm×6.25mm×1.82mm LGA和6.25mm×6.25mm×2.42mm BGA封装，内部集成了开关控制器、功率FET、电感器和支持组件。此外，该电源模块也可配置为两相单±6A输出的VTT。只需几个陶瓷输入和输出电容即可完成设计。 LTM4632支持可选的突发模式操作（仅CH1）和输出电压跟踪，用于电源轨排序。其高开关频率和电流模式控制可实现对输入电压和负载变化的快速瞬态响应，且不影响稳定性。故障保护功能包括输入过压、过流和过热保护。 LTM4632提供SnPb（BGA）或符合RoHS标准的引脚镀层。

商品特性

完整的DDR-QDR4 SRAM电源解决方案
包括VDDQ、VTT、VTTR（或VREF）
解决方案面积为0.5cm²（双面PCB）
宽输入电压范围：3.6V至15V
3.3V输入，YIN连接至INTVCC
输出电压范围：0.6V至2.5V
双±3A直流输出电流，具备灌电流和拉电流能力
±1.5%、±10mA缓冲VITR = VDDQ/2输出
3A VDDQ + 3A VTT或两相单6A VTT
在负载、输入电压和温度变化范围内，最大总输出电压调节误差为±1.5%
电流模式控制，快速瞬态响应
外部频率同步
多相并联，支持均流
可选突发模式操作
输入过压和过热保护
电源正常指示
超薄6.25mm×6.25mm×1.82mm LGA和6.25mm×6.25mm×2.42mm BGA封装

应用领域

DDR内存电源
通用负载点转换
电信、网络和工业设备

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	属性	参数值
	开关频率	1MHz
	纹波噪声	30mVp-p
	特性	过流保护；过压保护；过热保护
	长度	6.25mm
	宽度	6.25mm
	高度	2.42mm
	工作温度	-40℃~+125℃