HMC637ALP5ETR
GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz
- 描述
- GaAs、pHEMT、MMIC、1W功率放大器,0.1GHz至6GHz
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC637ALP5ETR
- 商品编号
- C579565
- 商品封装
- QFN-32-EP(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204823克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 100MHz~6GHz | |
| 增益 | 13dB | |
| 噪声系数 | 5dB | |
| 工作电压 | 12V | |
| 工作电流 | 400mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 29dBm | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入回波损耗 | 12dB | |
| 输出回波损耗 | 15dB | |
| IP3 | 44dBm |
商品概述
HMC637ALP5E 是一种砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 伪形态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式功率放大器,工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz。该放大器提供13 dB的增益,44 dBm的输出三阶截点 (IP3),以及在1 dB增益压缩时29 dBm的输出功率,同时需要从12 V电源中汲取400 mA电流。从100 MHz到6 GHz的增益平坦度为±0.75 dB。HMC637ALP5E放大器的射频 (RF) 输入/输出内部匹配至50 Ω,并且5 mm x 5 mm引线框架芯片级封装 (LFCSP) 与高产量表面贴装技术 (SMT) 组装设备兼容。
应用领域
- 电信基础设施
- 微波无线电
- 非常小的天线终端(VSAT)
- 测试仪器
- 光纤光学
