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HMC8410LP2FE
0.01 GHz至10 GHz GaAs pHEMT低噪声放大器
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- 描述
- HMC8410是一款基于砷化镓（GaAs）的单片微波集成电路（MMIC），采用伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术，是一款低噪声宽带放大器。其工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz，提供19.5 dB的典型增益和1.1 dB的典型噪声系数。HMC8410采用6引脚2 mm x 2 mm的LFCSP封装。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC8410LP2FE
- 商品编号
- C579576
- 商品封装
- LFCSP-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.584426克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 10MHz~10GHz | |
| 增益 | 19.5dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 1.1dB | |
| 工作电压 | 5V | |
| 工作电流 | 65mA |
商品概述
HMC8410 是一种砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 伪形态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作频率范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。HMC8410 提供的典型增益为 19.5 dB，典型噪声系数为 1.1 dB，典型输出 IP3 为 33 dBm，仅需 5 V 电源电压下的 65 mA 电流。高达 22.5 dBm 的饱和输出功率 (PSAT) 使低噪声放大器 (LNA) 可以作为 Analog Devices, Inc. 平衡 I/Q 或镜像抑制混频器的本振 (LO) 驱动器。
HMC8410 还具有内部匹配到 50 Ω 的输入/输出 (I/O)，使其非常适合用于表面贴装技术 (SMT) 基础的高容量微波无线电应用。HMC8410 采用符合 RoHS 标准的 2 mm x 2 mm LFCSP 封装。
应用领域
软件定义无线电 - 雷达应用