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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2ED2103S06FXUMA1

集成自举二极管的650V半桥栅极驱动器

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描述
2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
商品型号
2ED2103S06FXUMA1
商品编号
C5311647
商品封装
DSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)700mA
拉电流(IOH)290mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)70ns
属性参数值
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpLH90ns
传播延迟 tpHL90ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
输入高电平(VIH)1.7V~2.4V
输入低电平(VIL)700mV~1.1V
静态电流(Iq)400uA

商品概述

2ED2103S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在 VS 引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 VDC 的负瞬态电压时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,最低支持 3.3 V 逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,可将驱动器的交叉导通降至最低。浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT,最高工作电压可达 650 V。

商品特性

  • 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅(SOI)技术
  • 具备 -100 V 的负 VS 瞬态电压抗扰度
  • 浮动通道专为自举操作设计,工作电压(VS 节点)最高可达 + 650 V
  • 最大自举电压(VB 节点)为 + 675 V
  • 集成超快速、低电阻自举二极管
  • VS 引脚逻辑工作电压最低可达 –11 V
  • 输入负电压耐受能力为 -5 V
  • 两个通道均具备独立的欠压锁定功能
  • 带迟滞的施密特触发器输入
  • 兼容 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑
  • 最大电源电压为 25 V
  • DSO-8 封装,符合 RoHS 标准
  • 最大延迟匹配为 10 ns
  • 传播延迟为 90 ns

应用领域

  • 在各种电力电子应用中驱动 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET
  • 驱动配备 TRENCHSTOP™ IGBT6 或 600 V EasyPACK™ 模块的电机驱动器、通用逆变器
  • 驱动配备 RCD 系列 IGBT、TRENCHSTOP™ 系列 IGBT 或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他大型家用电器
  • 驱动使用低压 OptiMOS™ MOSFET 或等效功率级的电池供电小型家用电器,如电动工具、吸尘器
  • 用于工业开关电源(SMPS)的离线 AC-DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器,配备高压 CoolMOS™ 超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP™ H3 和 WR5 IGBT 系列
  • 配备 CoolMOS™ 超结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
  • 电动汽车(EV)充电站和电池管理系统
  • 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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