2ED2103S06FXUMA1
集成自举二极管的650V半桥栅极驱动器
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- 描述
- 2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED2103S06FXUMA1
- 商品编号
- C5311647
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 700mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 90ns | |
| 传播延迟 tpHL | 90ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 400uA |
商品概述
2ED2103S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在 VS 引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 VDC 的负瞬态电压时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,最低支持 3.3 V 逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,可将驱动器的交叉导通降至最低。浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT,最高工作电压可达 650 V。
商品特性
- 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅(SOI)技术
- 具备 -100 V 的负 VS 瞬态电压抗扰度
- 浮动通道专为自举操作设计,工作电压(VS 节点)最高可达 + 650 V
- 最大自举电压(VB 节点)为 + 675 V
- 集成超快速、低电阻自举二极管
- VS 引脚逻辑工作电压最低可达 –11 V
- 输入负电压耐受能力为 -5 V
- 两个通道均具备独立的欠压锁定功能
- 带迟滞的施密特触发器输入
- 兼容 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑
- 最大电源电压为 25 V
- DSO-8 封装,符合 RoHS 标准
- 最大延迟匹配为 10 ns
- 传播延迟为 90 ns
应用领域
- 在各种电力电子应用中驱动 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET
- 驱动配备 TRENCHSTOP™ IGBT6 或 600 V EasyPACK™ 模块的电机驱动器、通用逆变器
- 驱动配备 RCD 系列 IGBT、TRENCHSTOP™ 系列 IGBT 或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他大型家用电器
- 驱动使用低压 OptiMOS™ MOSFET 或等效功率级的电池供电小型家用电器,如电动工具、吸尘器
- 用于工业开关电源(SMPS)的离线 AC-DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器,配备高压 CoolMOS™ 超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP™ H3 和 WR5 IGBT 系列
- 配备 CoolMOS™ 超结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
- 电动汽车(EV)充电站和电池管理系统
- 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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