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HG24C32MM/TR
宽电压操作串行EEPROM
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- 描述
- 串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG24C32MM/TR
- 商品编号
- C5310845
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 32Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HG24C32是一款与I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。它包含一个32 Kbit（4 Kbyte）的存储阵列，每页组织为32字节。
商品特性
- 单电源电压和高速模式
- 最低工作电压低至1.7V
- 从1.7V到5.5V时，时钟频率为400kHz/1MHz
- 低功耗CMOS技术
- 读取电流0.2mA（400kHz，典型值）
- 写入电流0.8mA（400kHz，典型值）
- 施密特触发器，滤波输入用于噪声抑制
- 顺序和随机读取功能
- 32字节页写入模式，允许部分页写入
- 整个存储阵列的写保护
- 额外的可写锁定页
- 额外的128位序列号
- 自定时写入周期（最长5ms）
- 高可靠性
- 耐久性：100万次写入周期
- 数据保留：100年
- ESD（HBM）：4 kV
- 闩锁能力：±200mA（25°C）
- 封装：DIP8、SOP8、MSOP8、TSSOP8、DFN8、SOT23 - 5