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PTP18N20A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专有新型平面技术
- 导通电阻（RDS(ON)）典型值：当栅源电压（VGS）为 10 V 时为 120 mΩ
- 低栅极电荷，最小化开关损耗
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 阴极射线管（CRT）、电视/显示器
- 其他应用