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PTA09N45实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTA09N45

450V N沟道MOSFET

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描述
特性:专有新平面技术。 RDS(ON)典型值 = 0.48Ω,VGS = 10V。 低栅极电荷,可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用:镇流器和照明。 DC-AC逆变器
品牌名称
PIP(丽隽)
商品型号
PTA09N45
商品编号
C575807
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.52克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)450V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))480mΩ@10V,4.5A
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.12nF
反向传输电容(Crss)11pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)92pF

商品特性

  • 专有新型平面技术
  • RDS(ON),典型值 = 0.48 Ω(VGS = 10 V 时)
  • 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
  • 快速恢复体二极管

应用领域

  • 镇流器与照明
  • 直流-交流逆变器
  • 其他应用

数据手册PDF