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PTA10N40B
400V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：专有新平面技术。 RDS(ON) 典型值 = 0.45Ω，VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：镇流器和照明。 DC-AC 逆变器
- 品牌名称
- PIP(丽隽)
- 商品型号
- PTA10N40B
- 商品编号
- C575804
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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