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SSM3J35AMFV,L3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:250mA
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- 描述
- 特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。应用：模拟开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J35AMFV,L3F
- 商品编号
- C5274156
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
SI2333CDS-T1-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -18V，ID = -7A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 22mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理