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SSM6N44FE,LM
2个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：紧凑型封装，适合高密度安装。 低导通电阻：RDS(ON) = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V)；RDS(ON) = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N44FE,LM
- 商品编号
- C5274704
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4V,10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5pF@3V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 60mΩ
- 在VGS = 5V时，RDS(ON) ≤ 75mΩ
- 快速开关能力
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤
应用领域
- 便携式设备和计算机的负载/电源开关
- DC-DC转换