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SSM10N954L,EFF(S
1个N沟道 耐压:12V 电流:13.5A
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- 描述
- 特性：低源极-源极导通电阻：ΔRSS(ON) = 2.2 mΩ（典型值）(@VGS = 3.8 V)；ΔRSS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5 V)。 符合RoHS标准。 无卤。应用：电池保护电路
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM10N954L,EFF(S
- 商品编号
- C5274420
- 商品封装
- TCSPAC-153001
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@1.11mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.0V | |
| 类型 | N沟道 |
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