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SSM3J56MFV,L3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。 重量：1.5mg（典型值）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J56MFV,L3F
- 商品编号
- C5274157
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@4.5V,800mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融合了最新的先进技术，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。意法半导体（STMicroelectronics）凭借其新的M6技术，在前一代MDmesh器件的基础上进行了改进，该技术将出色的单位面积导通态漏源电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积导通态漏源电阻（RDS(on)）更低
- 栅极输入电阻低
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器