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LPB2333LT1G实物图
  • LPB2333LT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LPB2333LT1G

1个P沟道 耐压:12V 电流:6A

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商品型号
LPB2333LT1G
商品编号
C5273735
商品封装
SOT-23LC​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@4.5V,1A
耗散功率(Pd)1.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)1.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.571nF@15V
反向传输电容(Crss)230pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -20V
  • 漏源导通电阻(RDS(ON)),栅源电压(VGS)@ -4.5V,漏极电流(IDS)@ -1A 时为 45mΩ
  • 漏源导通电阻(RDS(ON)),栅源电压(VGS)@ -2.5V,漏极电流(IDS)@ -4A 时为 70mΩ
  • 栅源静电放电保护
  • 我们声明该产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • “S-” 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 小封装外形
  • 表面贴装器件
  • 负载开关

数据手册PDF