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SI2393DS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：负载开关。 电路保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2393DS-T1-GE3
- 商品编号
- C5273032
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.7mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
IRLML0030TR采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 导通电阻RDS(ON) < 27 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）