SI2318DS-T1-BE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:3.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。应用:步进电机。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2318DS-T1-BE3
- 商品编号
- C5272910
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,3.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻(RDS(on))改善与高效的开关性能相结合,为终端应用提供最佳效率,带来便捷的使用体验。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器
相似推荐
其他推荐
