MMBT5551T
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- 描述
- 这款NPN型该晶体管适合用于高频放大和高速开关应用,是构建高性能通信设备、数据传输系统以及日常家用电子产品中信号处理电路的理想选择,能够在各种电子设计中实现高效稳定的信号控制。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MMBT5551T
- 商品编号
- C55807691
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300 | |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV;150mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | - |



