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BSS123W
BSS123W
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- 描述
- SOT-323 封装N沟道MOS。该产品在实现极低导通电阻的同时，还具备坚固耐用、性能可靠和开关速度快的特点。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- BSS123W
- 商品编号
- C55807697
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 29pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- MDD3139KW
- 2SK3019T
- MDD3134KT
- MDD3134KDW
- MDD3439KDW
- 2N5003T
- XSD136-012
- J1.1042F.AC.904.PEADR52
- EZG.1B.N08D.CSR
- M12N.E6S.X8.NABB.16
- EEG.1T.L086.CSR
- EEG.2K.L514.CSR.L5556
- EZG.1B.N16D.CSR
- EGG.1T.L02.CSR.XL5907
- M12A.E1S.A08.NAYR.PG9.XL4356
- DCA.0S.250.CTLC52
- BFGG.1B.A02.CSRD52Z.XL6668
- M12.M1.L08.YPP72
- T.AFFA.00S.250.CTA32
- AFGG.1T.A086.CSRC70
- M12A.E2S.A04.NAYR.16