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MDD3439KDW
MDD3439KDW
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- 描述
- SOT-363封装N+P型MOS 适用于低功耗电子设备的电源转换和智能开关控制。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD3439KDW
- 商品编号
- C55807702
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA；660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@4.5V；270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | -；540mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF；79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF；9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF；13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
- 2N5003T
- XSD136-012
- J1.1042F.AC.904.PEADR52
- EZG.1B.N08D.CSR
- M12N.E6S.X8.NABB.16
- EEG.1T.L086.CSR
- EEG.2K.L514.CSR.L5556
- EZG.1B.N16D.CSR
- EGG.1T.L02.CSR.XL5907
- M12A.E1S.A08.NAYR.PG9.XL4356
- DCA.0S.250.CTLC52
- BFGG.1B.A02.CSRD52Z.XL6668
- M12.M1.L08.YPP72
- T.AFFA.00S.250.CTA32
- AFGG.1T.A086.CSRC70
- M12A.E2S.A04.NAYR.16
- M12.M1.L04.YPP72
- DEU.1031.L10.1C.CSR
- ECG.1B.L08.CSR.L5766
- M12.M1.L05.YPP72
- T1.NFT.1031.A10.1C.CSRD72N1