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DGD0227S8-13
HIGH SPEED LOW-SIDE GATE DRIVER
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- 描述
- -
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD0227S8-13
- 商品编号
- C5244547
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174498克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
DIODES公司的DGD0227双路高速低端MOSFET和IGBT驱动器能够驱动4A的峰值电流。DGD0227的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口。快速且匹配良好的传播延迟支持高速运行，可使用更小的相关组件实现更小巧紧凑的功率开关设计。 DGD0227采用SO-8（TH型）封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。
商品特性
- 用于驱动MOSFET和IGBT的高效低成本解决方案
- 宽电源电压工作范围：4.5V至18V
- 4.0A源极/4.0A灌极输出电流能力
- 快速传播延迟（典型值35ns）
- 快速上升和下降时间（典型值20ns）
- 逻辑输入（IN）支持3.3V
- 扩展温度范围：-40℃至+125℃
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 线路驱动器
- 电机控制
- 开关模式电源