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HT33153ARZ
单路 IGBT 栅极驱动器
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- 描述
- HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT33153ARZ
- 商品编号
- C5241940
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 11.3V~12.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 17ns | |
| 下降时间(tf) | 55ns | |
| 传播延迟 tpLH | 80ns | |
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 特性 | 过流保护(OCP)；欠压保护(UVP)；短路保护(SCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件是为驱动分立和模块IGBT而设计的，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的去饱和或过流检测以及欠压检测。
商品特性
- 高电流输出级：1.0 A源电流/2.0 A灌电流
- 适用于传统IGBT和检测IGBT的保护电路
- 可编程故障消隐时间
- 过流和短路保护
- 针对IGBT优化的欠压锁定
- 负栅极驱动能力
- 经济高效地驱动功率MOSFET和双极晶体管
应用领域
- 交流感应电机控制
- 无刷直流电机控制
- 不间断电源