GLS36VF3204-70-4I-EKE

GLS36VF320x系列是采用高性能SuperFlash技术制造的2M x16或4M x8 CMOS同步读写闪存。其分栅单元设计和厚氧化层隧道注入器，相比其他方案，实现了更高的可靠性和可制造性。该器件在2.7-3.6V电源电压下进行写入（编程或擦除）操作，并符合x8/x16存储器的JEDEC标准引脚排列。凭借高性能字编程特性，这些器件提供7 μs的典型编程时间，并使用Toggle Bit、Data# Polling或RY/BY#来检测编程或擦除操作的完成。为防止意外写入，器件内置片上硬件和软件数据保护方案。这些器件专为广泛的应用而设计、制造和测试，保证10,000次擦写循环的耐久性，数据保持时间超过100年。这些器件适用于需要方便、经济地更新程序、配置或数据存储的应用。对于所有系统应用，这些器件显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。SuperFlash技术提供固定的擦除和编程时间，与已发生的擦除/编程循环次数无关。为满足高密度、表面贴装的要求，这些器件提供48球TFBGA和48引脚TSOP封装。

• 组织架构为2M x16或4M x8
• 双存储体架构，支持同步读写操作
• 32 Mbit底部扇区保护（位于较小的存储体）
• GLS36VF3203：8 Mbit + 24 Mbit
• 32 Mbit顶部扇区保护（位于较小的存储体）
• GLS36VF3204：24 Mbit + 8 Mbit
• 单一2.7-3.6V电源用于读取和写入操作
• 卓越的可靠性
• 耐久性：100,000次循环（典型值）
• 超过100年的数据保持时间
• 低功耗
• 工作电流：6 mA（典型值）
• 待机电流：4 μA（典型值）
• 自动低功耗模式：4 μA（典型值）
• 硬件扇区保护/WP#输入引脚
• 通过驱动WP#为低电平保护较小存储体中的8K字，驱动WP#为高电平解除保护
• 将内部状态机复位至读取阵列数据状态
• 硬件复位引脚（RST#）
• 字节#引脚
• 选择8位或16位模式
• 扇区擦除能力
• 统一的2K字扇区
• 芯片擦除能力
• 块擦除能力
• 统一的32K字块
• 擦除挂起/擦除恢复能力
• 安全ID特性
• 制造商：128位
• 用户：256字节
• 快速读取访问时间
• 70 ns
• 锁存地址和数据
• 快速擦除和编程（典型值）
• 扇区擦除时间：18 ms
• 块擦除时间：18 ms
• 芯片擦除时间：35 ms
• 编程时间：7 μs
• 自动写入时序
• 内部V_PP生成
• 写入结束检测
• Toggle Bit
• Data# Polling
• Ready/Busy#引脚
• CMOS I/O兼容性
• 符合通用闪存接口（CFI）规范
• JEDEC标准
• 闪存EEPROM引脚排列和命令集
• 可选封装
• 48球TFBGA（6mm x 8mm）
• 48引脚TSOP（12mm x 20mm）