GLS37VF010-70-3C-NHE
GLS37VF010-70-3C-NHE
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- 品牌名称
- Greenliant(绿芯)
- 商品型号
- GLS37VF010-70-3C-NHE
- 商品编号
- C567383
- 商品封装
- PLCC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
GLS37VF010/020/040器件是采用高性能SuperFlash技术制造的128K × 8 / 256K × 8 / 512K × 8 CMOS、多次可编程、低成本闪存。其分栅单元设计和厚氧化层隧道注入器相比其他方法实现了更高的可靠性和可制造性。GLS37VF010/020/040可使用外部编程器进行至少1000次的电擦除和编程,例如用于更改库存器件的内容。这些器件在编程前需先进行擦除,并符合字节宽闪存器件的JEDEC标准引脚排列。凭借高性能字节编程特性,GLS37VF010/020/040提供典型的15 μs字节编程时间。这些器件为广泛的应用而设计、制造和测试,提供至少1000次的耐久性,数据保持时间评级超过100年。GLS37VF010/020/040适用于需要不频繁写入和低功耗非易失性存储的应用。这些器件将提高灵活性、效率和性能,同时匹配目前使用UV-EPROM、OTP和掩模ROM的非易失性应用中的低成本要求。为满足表面贴装和传统通孔要求,GLS37VF010/020/040提供32引线PLCC、32引线TSOP和32引脚PDIP封装。
商品特性
- 组织架构为128 K × 8 / 256 K × 8 / 512 K × 8
- 2.7~3.6V读取操作
- 卓越的可靠性
- 耐久性:至少1000次循环
- 超过100年的数据保持时间
- 低功耗
- 工作电流:10 mA (典型值)
- 待机电流:2 μA (典型值)
- 快速读取访问时间:70 ns
- 锁存的地址和数据
- 快速字节编程操作
- 字节编程时间:15 μs (典型值)
- 芯片编程时间:GLS37VF010为2秒 (典型值),GLS37VF020为4秒 (典型值),GLS37VF040为8秒 (典型值)
- 使用编程器进行电擦除
- 无需紫外光源
- 芯片擦除时间:100 ms (典型值)
- CMOS I/O兼容性
- JEDEC标准字节宽闪存EEPROM引脚排列
- 可用封装:32引线PLCC、32引线TSOP (8mm × 14mm)、32引脚PDIP
- 提供无铅封装
- GLS37VF010-70-3C-WHE
- GLS37VF020-70-3C-WHE
- GLS85LS1004G-S-I-LBJE-ND111
- GLS85LS1008B-M-C-FZJE-ND105
- GLS85VM1001P-S-I-LFWE-ND213
- GLS85VM1002E-S-I-BZYE-ND224
- GLS85VM1004G-S-I-LFWE-ND217
- GLS85VM1004G-S-I-BZYE-ND222
- GLS85VM1008C-M-I-LFWE-ND210
- GLS85VM1008C-M-I-BZYE-ND216
- GLS85VM1008G-S-I-BZYE-ND222
- GLS85VM1016A-M-I-LFWE-ND214
- GLS85VM1016B-M-I-LFWE-ND212
- GLS85VM1016C-M-I-BZYE-ND216
- GLS85LD0512-60-RI-LBTE
- GLS85LP1001P-S-I-LBTE-ND003
- GLS87DP032G3-I-BZ200
- GLS87BP032G3-I-BZ200
- GLS86FP032G3-I-BZ000
- GLS93SP016G1-I-BZ803
- GLS93SP032G3-I-BZ802

