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ISZ0501NLSATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:40A
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- 描述
- 特性：优化用于充电器应用。高频开关电源 (SMPS) 具有极低的 FOM Qoss。高频开关电源 (SMPS) 具有低 FOM Qsw。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)。在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ0501NLSATMA1
- 商品编号
- C5223642
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |