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MT62F512M64D4EK-031 WT:B
MT62F512M64D4EK-031 WT:B
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT62F512M64D4EK-031 WT:B
- 商品编号
- C5221842
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 3.2GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；500mV；900mV；1.05V | |
| 功能特性 | 自动刷新；高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
商品特性
- 架构
- 每通道最大带宽12.8GB/s
- 频率范围：800 - 5MHz（每引脚数据速率范围：6400 - 40Mb/s，WCK:CK = 4:1）
- 可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）
- LPDDR5数据接口
- 单x16通道/管芯
- 双倍数据速率命令/地址输入
- 用于高速操作的差分命令时钟（CK_t/CK_c）
- 差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）
- 可选差分读取选通（RDQS_t/RDQS_c）
- 16n位或32n位预取架构
- 8库（8B模式）下4KB页大小，库组（BG模式）下2KB页大小，或16库（16B模式）操作
- 库组或16库模式下命令可选突发长度（BL = 16或32）
- 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
- 可选链路保护（链路ECC）
- 部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR）及段掩码
- 超低电压核心和I/O电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95V；1.8V标称值
- VDD2H = 1.01 - 1.12V；1.05V标称值
- VDD2L = VDD2H或0.87 - 0.97V；0.9V标称值
- VDDQ = 0.5V标称值或0.3V标称值（ODT关闭）
- I/O特性
- 接口 - LVSTL 0.5/0.3
- I/O类型：低摆幅单端，VSS端接
- VOH补偿输出驱动
- 可编程VSS片上终端（ODT）
- 非目标ODT支持
- DVFSQ支持
- 低功耗特性
- DVFSC：动态电压频率缩放核心
- 单端CK、单端WCK和单端RDQS
- 数据复制
- 写X
- 选项
- VDD1/VDD2H/VDD2L/VDDQ（ODT开启）/（ODT关闭）：1.8V/1.05V/0.9V/0.5V/0.3V
- 阵列配置
- 512兆x32（2通道x16 I/O）
- 1吉x32（2通道x16 I/O）
- 2吉x32（2通道x16 I/O）
- 512兆x64（4通道x16 I/O）
- 1吉x64（4通道x16 I/O）
- 器件配置
- 封装D2中512M16 × 2管芯
- 封装D4中512M16 × 4管芯
- 封装D8中512M16 × 8管芯、1024M8 × 8管芯
- FBGA“绿色”封装
- 315球TFBA（12.4mm × 15.0mm，DR安装高度：最大1.1mm，Ø0.48SMD）
- 315球TFBA（12.4mm × 15.0mm，DS安装高度：最大1.1mm，Ø0.48SMD）
- 441球TFBA（14.0mm × 14.0mm，EK安装高度：最大1.1mm，Ø0.44SMD）
- 速度等级，周期时间（tWCK） - 6400Mb/s - 031
- 工作温度：
- -25°C至 + 85°C
- -40°C至 + 95°C
- -60°C至 + 75°C
- 版本：B