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DMTH4008LPSQ-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:64.8A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持，非常适合用于以下场景：无刷直流电机控制、直流 - 直流转换器、负载开关
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4008LPSQ-13
- 商品编号
- C5221856
- 商品封装
- PowerDI-5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.088nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 0.22 A，25 V。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 4Ω
- 在VGS = 2.7V时，RDS(ON) = 5Ω
- 栅极驱动要求极低，可在3V电路中直接工作。VGS(th) < 1.5V
- 栅-源极齐纳二极管，具备出色的ESD耐受性。人体模型静电放电抗扰度 > 6 kV
- 可用一个DMOSFET替代多个NPN数字晶体管
- 简化封装外形（SOT - 23）